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BFR31LT1

BFR31LT1

Solo per riferimento

Numero parte BFR31LT1
PNEDA Part # BFR31LT1
Descrizione JFET N-CH 225MW SOT23
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.526
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata dic 22 - dic 27 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BFR31LT1 Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBFR31LT1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - JFET
Datasheet
BFR31LT1, BFR31LT1 Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 59,41 KB)
PDFBFR31LT1G Datasheet Copertura
BFR31LT1G Datasheet Pagina 2 BFR31LT1G Datasheet Pagina 3 BFR31LT1G Datasheet Pagina 4

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BFR31LT1 Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FETN-Channel
Tensione - Guasto (V (BR) GSS)-
Tensione Drain to Source (Vdss)25V
Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)1mA @ 10V
Corrente assorbita (Id) - Max-
Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id2.5V @ 0.5nA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds5pF @ 10V
Resistenza - RDS (On)-
Potenza - Max225mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-23-3 (TO-236)

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

40V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

200µA @ 20V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

300mV @ 10nA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

350mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3

2SK33720UL

Panasonic Electronic Components

Produttore

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

107µA @ 2V

Corrente assorbita (Id) - Max

2mA

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

100mW

Temperatura di esercizio

-20°C ~ 80°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-723

Pacchetto dispositivo fornitore

SSSMini3-F1

P108718

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

30V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

5mA @ 20V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

5V @ 1µA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

45pF @ 15V

Resistenza - RDS (On)

150 Ohms

Potenza - Max

350mW

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

2SK715W

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

15V

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

14.5mA @ 5V

Corrente assorbita (Id) - Max

50mA

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

600mV @ 100µA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

10pF @ 5V

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

300mW

Temperatura di esercizio

125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

SC-72

Pacchetto dispositivo fornitore

3-SPA

2N5461_L99Z

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

40V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

9mA @ 15V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

1V @ 1µA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

7pF @ 15V

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

350mW

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 135°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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