BFR30,235
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| Numero parte | BFR30,235 |
| PNEDA Part # | BFR30-235 |
| Descrizione | JFET N-CH 10MA 250MW SOT23 |
| Produttore | NXP |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.410 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 1 - mag 6 (Scegli Spedizione rapida) |
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BFR30 Risorse
| Brand | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | BFR30,235 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - JFET |
| Datasheet |
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BFR30 Specifiche
| Produttore | NXP USA Inc. |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tensione - Guasto (V (BR) GSS) | - |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 25V |
| Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 4mA @ 10V |
| Corrente assorbita (Id) - Max | 10mA |
| Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id | 5V @ 0.5nA |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4pF @ 10V |
| Resistenza - RDS (On) | - |
| Potenza - Max | 250mW |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23 (TO-236AB) |
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Produttore Central Semiconductor Corp Serie * Tipo FET - Tensione - Guasto (V (BR) GSS) - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) - Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Resistenza - RDS (On) - Potenza - Max - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore Central Semiconductor Corp Serie - Tipo FET N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) 40V Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 5mA @ 20V Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id 500mV @ 1nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 14pF @ 20V Resistenza - RDS (On) 100 Ohms Potenza - Max 350mW Temperatura di esercizio -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore SOT-23 |
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Tipo FET N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) 50V Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 2.6mA @ 10V Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id 1.5V @ 100nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 13pF @ 10V Resistenza - RDS (On) - Potenza - Max 100mW Temperatura di esercizio 125°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SC-70, SOT-323 Pacchetto dispositivo fornitore SC-70 |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) 25V Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 200mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id 2V @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Resistenza - RDS (On) 6 Ohms Potenza - Max 625mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore TO-92-3 |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET P-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) 30V Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 10mA @ 20V Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id 10V @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 45pF @ 15V Resistenza - RDS (On) 75 Ohms Potenza - Max 350mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Pacchetto dispositivo fornitore TO-92-3 |
