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BFG590/X,215

BFG590/X,215

Solo per riferimento

Numero parte BFG590/X,215
PNEDA Part # BFG590-X-215
Descrizione RF TRANS NPN 15V 5GHZ SOT143B
Produttore NXP
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.906
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata set 23 - set 28 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BFG590/X Risorse

Brand NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBFG590/X,215
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
BFG590/X, BFG590/X Datasheet (Totale pagine: 11, Dimensioni: 263,32 KB)
PDFBFG590 Datasheet Copertura
BFG590 Datasheet Pagina 2 BFG590 Datasheet Pagina 3 BFG590 Datasheet Pagina 4 BFG590 Datasheet Pagina 5 BFG590 Datasheet Pagina 6 BFG590 Datasheet Pagina 7 BFG590 Datasheet Pagina 8 BFG590 Datasheet Pagina 9 BFG590 Datasheet Pagina 10 BFG590 Datasheet Pagina 11

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BFG590/X Specifiche

ProduttoreNXP USA Inc.
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)15V
Frequenza - Transizione5GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)-
Guadagno-
Potenza - Max400mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce60 @ 70mA, 8V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)200mA
Temperatura di esercizio175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-253-4, TO-253AA
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-143B

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Frequenza - Transizione

1.4GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

3.5dB ~ 5dB @ 800MHz

Guadagno

-

Potenza - Max

280mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 2mA, 1V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

25mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3

UPA810T-A

CEL

Produttore

CEL

Serie

-

Tipo di transistor

2 NPN (Dual)

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

4.5GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.2dB @ 1GHz

Guadagno

9dB

Potenza - Max

200mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 7mA, 3V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-363

HFA3128R

Renesas Electronics America Inc.

Produttore

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

5 PNP

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Frequenza - Transizione

5.5GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

3.5dB @ 1GHz

Guadagno

-

Potenza - Max

150mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 10mA, 2V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

65mA

Temperatura di esercizio

175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

16-VFQFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

16-QFN (3x3)

MRF5812

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Frequenza - Transizione

5GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

2dB ~ 3dB @ 500MHz

Guadagno

13dB ~ 15.5dB

Potenza - Max

1.25W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 50mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

200mA

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

MS2608

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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