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BFG25AW/X,115

BFG25AW/X,115

Solo per riferimento

Numero parte BFG25AW/X,115
PNEDA Part # BFG25AW-X-115
Descrizione RF TRANS NPN 5V 5GHZ 4SO
Produttore NXP
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.950
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata set 24 - set 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BFG25AW/X Risorse

Brand NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBFG25AW/X,115
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
BFG25AW/X, BFG25AW/X Datasheet (Totale pagine: 14, Dimensioni: 346,24 KB)
PDFBFG25AW/X Datasheet Copertura
BFG25AW/X Datasheet Pagina 2 BFG25AW/X Datasheet Pagina 3 BFG25AW/X Datasheet Pagina 4 BFG25AW/X Datasheet Pagina 5 BFG25AW/X Datasheet Pagina 6 BFG25AW/X Datasheet Pagina 7 BFG25AW/X Datasheet Pagina 8 BFG25AW/X Datasheet Pagina 9 BFG25AW/X Datasheet Pagina 10 BFG25AW/X Datasheet Pagina 11

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BFG25AW/X Specifiche

ProduttoreNXP USA Inc.
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)5V
Frequenza - Transizione5GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)1.9dB ~ 2dB @ 1GHz
Guadagno-
Potenza - Max500mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce50 @ 500µA, 1V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)6.5mA
Temperatura di esercizio175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-343 Reverse Pinning
Pacchetto dispositivo fornitore4-SO

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

30V

Frequenza - Transizione

600MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

2dB @ 200MHz

Guadagno

20dB ~ 23dB

Potenza - Max

150mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

90 @ 3mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

20mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3 (TO-236)

TPR1000A

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

65V

Frequenza - Transizione

1.09GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

6dB

Potenza - Max

2900W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

10 @ 1A, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80A

Temperatura di esercizio

200°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

55KV

Pacchetto dispositivo fornitore

55KV

MS2210

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

65V

Frequenza - Transizione

960MHz ~ 1.215GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

7dB

Potenza - Max

940W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

10 @ 5A, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

24A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

M216

Pacchetto dispositivo fornitore

M216

1035MP

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

65V

Frequenza - Transizione

1.025GHz ~ 1.15GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

10dB ~ 10.5dB

Potenza - Max

125W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 100mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

2.5A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

55FW-1

Pacchetto dispositivo fornitore

55FW-1

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

5V

Frequenza - Transizione

25GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.25dB @ 1.8GHz

Guadagno

22.5dB

Potenza - Max

55mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 4V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

12mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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