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BFG10,215

BFG10,215

Solo per riferimento

Numero parte BFG10,215
PNEDA Part # BFG10-215
Descrizione RF TRANS NPN 8V 1.9GHZ SOT143B
Produttore NXP
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.434
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 25 - nov 30 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BFG10 Risorse

Brand NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBFG10,215
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
BFG10, BFG10 Datasheet (Totale pagine: 11, Dimensioni: 257,77 KB)
PDFBFG10/X Datasheet Copertura
BFG10/X Datasheet Pagina 2 BFG10/X Datasheet Pagina 3 BFG10/X Datasheet Pagina 4 BFG10/X Datasheet Pagina 5 BFG10/X Datasheet Pagina 6 BFG10/X Datasheet Pagina 7 BFG10/X Datasheet Pagina 8 BFG10/X Datasheet Pagina 9 BFG10/X Datasheet Pagina 10 BFG10/X Datasheet Pagina 11

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BFG10 Specifiche

ProduttoreNXP USA Inc.
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)8V
Frequenza - Transizione1.9GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)-
Guadagno7dB
Potenza - Max400mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce25 @ 50mA, 5V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)250mA
Temperatura di esercizio175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-253-4, TO-253AA
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-143B

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

30V

Frequenza - Transizione

700MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

2dB ~ 3dB @ 200MHz

Guadagno

20dB ~ 24dB

Potenza - Max

250mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 2mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

20mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

KSC2786YTA

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

20V

Frequenza - Transizione

600MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

3dB ~ 5dB @ 100MHz

Guadagno

18dB ~ 22dB

Potenza - Max

250mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 6V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

20mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 Short Body

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92S

MS2225H

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

MCH4013-TL-E

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

3.5V

Frequenza - Transizione

22.5GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.5dB @ 2GHz

Guadagno

16dB

Potenza - Max

50mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 5mA, 1V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

15mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-343F

Pacchetto dispositivo fornitore

4-MCPH

BFS 481 E6327

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

2 NPN (Dual)

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

8GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Guadagno

20dB

Potenza - Max

175mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 5mA, 8V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

20mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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