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BFG 19S E6327

BFG 19S E6327

Solo per riferimento

Numero parte BFG 19S E6327
PNEDA Part # BFG-19S-E6327
Descrizione RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT223-4
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.870
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata set 23 - set 28 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BFG 19S E6327 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBFG 19S E6327
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
BFG 19S E6327, BFG 19S E6327 Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 506,43 KB)
PDFBFG 19S E6327 Datasheet Copertura
BFG 19S E6327 Datasheet Pagina 2 BFG 19S E6327 Datasheet Pagina 3 BFG 19S E6327 Datasheet Pagina 4 BFG 19S E6327 Datasheet Pagina 5 BFG 19S E6327 Datasheet Pagina 6

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BFG 19S E6327 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)15V
Frequenza - Transizione5.5GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)2dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Guadagno14dB ~ 8.5dB
Potenza - Max1W
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce70 @ 70mA, 8V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)210mA
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-261-4, TO-261AA
Pacchetto dispositivo fornitorePG-SOT223-4

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

65V

Frequenza - Transizione

1.025GHz ~ 1.15GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

5.6dB

Potenza - Max

1350W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

5 @ 250mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

40A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

M112

Pacchetto dispositivo fornitore

M112

MRF559T

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

16V

Frequenza - Transizione

870MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

9.5dB

Potenza - Max

2W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 50mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

150mA

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

64062

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

TAN250A

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

60V

Frequenza - Transizione

960MHz ~ 1.215GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

6.2db ~ 7dB

Potenza - Max

575W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

10 @ 1A, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

55AW

Pacchetto dispositivo fornitore

55AW

DMC506E20R

Panasonic Electronic Components

Produttore

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Tipo di transistor

2 NPN (Dual)

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

20V

Frequenza - Transizione

650MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

3.3dB @ 100MHz

Guadagno

24dB

Potenza - Max

150mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

65 @ 1mA, 6V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

15mA

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

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