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BC857BQAZ

BC857BQAZ

Solo per riferimento

Numero parte BC857BQAZ
PNEDA Part # BC857BQAZ
Descrizione TRANS PNP 45V 0.1A SOT1215
Produttore Nexperia
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.850
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata dic 1 - dic 6 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BC857BQAZ Risorse

Brand Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBC857BQAZ
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo
Datasheet
BC857BQAZ, BC857BQAZ Datasheet (Totale pagine: 15, Dimensioni: 1.369,41 KB)
PDFBC857AQAZ Datasheet Copertura
BC857AQAZ Datasheet Pagina 2 BC857AQAZ Datasheet Pagina 3 BC857AQAZ Datasheet Pagina 4 BC857AQAZ Datasheet Pagina 5 BC857AQAZ Datasheet Pagina 6 BC857AQAZ Datasheet Pagina 7 BC857AQAZ Datasheet Pagina 8 BC857AQAZ Datasheet Pagina 9 BC857AQAZ Datasheet Pagina 10 BC857AQAZ Datasheet Pagina 11

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BC857BQAZ Specifiche

ProduttoreNexperia USA Inc.
SerieAutomotive, AEC-Q101
Tipo di transistorPNP
Corrente - Collettore (Ic) (Max)100mA
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)45V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic400mV @ 5mA, 100mA
Corrente - Taglio collettore (Max)15nA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce220 @ 2mA, 5V
Potenza - Max280mW
Frequenza - Transizione100MHz
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia3-XDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitoreDFN1010D-3

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Produttore

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1V @ 10mA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

1μA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

160 @ 2mA, 10V

Potenza - Max

400mW

Frequenza - Transizione

80MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

3-SIP

Pacchetto dispositivo fornitore

MT-1-A1

2SA1507S

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1.5A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

160V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

1µA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 100mA, 5V

Potenza - Max

1.5W

Frequenza - Transizione

120MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-225AA, TO-126-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-126ML

BD13710S

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1.5A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

60V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

63 @ 150mA, 2V

Potenza - Max

1.25W

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-225AA, TO-126-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-126-3

ZXT951KQTC

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

6A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

60V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 600mA, 6A

Corrente - Taglio collettore (Max)

20nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 2A, 1V

Potenza - Max

2.1W

Frequenza - Transizione

120MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-252, (D-Pak)

ZXTN25050DFHTA

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

4A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

210mV @ 400mA, 4A

Corrente - Taglio collettore (Max)

50nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

300 @ 10mA, 2V

Potenza - Max

1.25W

Frequenza - Transizione

200MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

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