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BAT54XV2T1G

BAT54XV2T1G

Solo per riferimento

Numero parte BAT54XV2T1G
PNEDA Part # BAT54XV2T1G
Descrizione DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD523
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.059.088
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 25 - nov 30 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BAT54XV2T1G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBAT54XV2T1G
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
BAT54XV2T1G, BAT54XV2T1G Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 115,67 KB)
PDFSBAT54XV2T5G Datasheet Copertura
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BAT54XV2T1G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di diodoSchottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)30V
Corrente - Media Rettificata (Io)200mA (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If800mV @ 100mA
VelocitàSmall Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr)5ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr2µA @ 25V
Capacità @ Vr, F10pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSC-79, SOD-523
Pacchetto dispositivo fornitoreSOD-523
Temperatura di esercizio - Giunzione-55°C ~ 125°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

90V

Corrente - Media Rettificata (Io)

8A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

900mV @ 8A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

2µA @ 90V

Capacità @ Vr, F

140pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-277, 3-PowerDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-277A (SMPC)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

SFF1008GAHC0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

10A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 5A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

35ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 600V

Capacità @ Vr, F

50pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

Pacchetto dispositivo fornitore

ITO-220AB

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

PMEG6010EP/6X

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

60V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

530mV @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

60µA @ 60V

Capacità @ Vr, F

120pF @ 1V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOD-128

Pacchetto dispositivo fornitore

CFP5

Temperatura di esercizio - Giunzione

150°C (Max)

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Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Silicon Carbide Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

90A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.8V @ 20A

Velocità

No Recovery Time > 500mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

0ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

18µA @ 1200V

Capacità @ Vr, F

1298pF @ 1V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-2

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247-2

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

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Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

60V

Corrente - Media Rettificata (Io)

10A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

630mV @ 10A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1mA @ 60V

Capacità @ Vr, F

850pF @ 5V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-277, 3-PowerDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

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Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

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