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BAT54S

BAT54S

Solo per riferimento

Numero parte BAT54S
PNEDA Part # BAT54S
Descrizione DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT23-3
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.380
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata dic 1 - dic 6 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BAT54S Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBAT54S
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Array
Datasheet
BAT54S, BAT54S Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 276,89 KB)
PDFBAT54S-D87Z Datasheet Copertura
BAT54S-D87Z Datasheet Pagina 2 BAT54S-D87Z Datasheet Pagina 3 BAT54S-D87Z Datasheet Pagina 4 BAT54S-D87Z Datasheet Pagina 5 BAT54S-D87Z Datasheet Pagina 6

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BAT54S Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Configurazione diodi1 Pair Series Connection
Tipo di diodoSchottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)30V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)200mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If800mV @ 100mA
VelocitàSmall Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr)5ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr2µA @ 25V
Temperatura di esercizio - Giunzione-55°C ~ 150°C
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-23-3 (TO-236)

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Produttore

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Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Anode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

30V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

30mA (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1V @ 30mA

Velocità

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Tempo di recupero inverso (trr)

1ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1µA @ 30V

Temperatura di esercizio - Giunzione

125°C (Max)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-89, SOT-490

Pacchetto dispositivo fornitore

SSMini3-F3

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GeneSiC Semiconductor

Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

35V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

500A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

750mV @ 250A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1mA @ 20V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Three Tower

Pacchetto dispositivo fornitore

Three Tower

MBR120100CT

GeneSiC Semiconductor

Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Anode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

120A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

840mV @ 60A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

3mA @ 20V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Twin Tower

Pacchetto dispositivo fornitore

Twin Tower

MBRT60035RL

GeneSiC Semiconductor

Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Anode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

35V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

300A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

600mV @ 300A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

3mA @ 35V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Three Tower

Pacchetto dispositivo fornitore

Three Tower

MBR12040CTR

GeneSiC Semiconductor

Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Anode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

40V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

120A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

650mV @ 120A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

3mA @ 20V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

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