BAR6402LRHE6327XTSA1
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| Numero parte | BAR6402LRHE6327XTSA1 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | BAR6402LRHE6327XTSA1 | ||||||||||||||||||
| Descrizione | RF DIODE PIN 150V 250MW TSLP-2 | ||||||||||||||||||
| Produttore | Infineon Technologies | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 6.440 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | nov 24 - nov 29 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * | ||||||||||||||||||
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BAR6402LRHE6327XTSA1 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | BAR6402LRHE6327XTSA1 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Diodi - RF |
| Datasheet |
BAR6402LRHE6327XTSA1, BAR6402LRHE6327XTSA1 Datasheet
(Totale pagine: 16, Dimensioni: 1.006,01 KB)
  
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BAR6402LRHE6327XTSA1 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | PIN - Single |
| Tensione - Picco inverso (Max) | 150V |
| Corrente - Max | 100mA |
| Capacità @ Vr, F | 0.35pF @ 20V, 1MHz |
| Resistenza @ If, F | 1.35Ohm @ 100mA, 100MHz |
| Dissipazione di potenza (max) | 250mW |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Pacchetto / Custodia | SOD-882 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TSLP-2 |
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Produttore Infineon Technologies Serie - Tipo di diodo Schottky - 2 Independent Tensione - Picco inverso (Max) 40V Corrente - Max 20mA Capacità @ Vr, F 0.6pF @ 0V, 1MHz Resistenza @ If, F - Dissipazione di potenza (max) 100mW Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Pacchetto / Custodia TO-253-4, TO-253AA Pacchetto dispositivo fornitore PG-SOT143-4 |
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Produttore Infineon Technologies Serie - Tipo di diodo PIN - Single Tensione - Picco inverso (Max) 150V Corrente - Max 200mA Capacità @ Vr, F 0.55pF @ 5V, 1MHz Resistenza @ If, F 1Ohm @ 10mA, 100MHz Dissipazione di potenza (max) 250mW Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Pacchetto / Custodia SC-79, SOD-523 Pacchetto dispositivo fornitore PG-SC79-2 |
