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AUIRS44261S

AUIRS44261S

Solo per riferimento

Numero parte AUIRS44261S
PNEDA Part # AUIRS44261S
Descrizione IC DRVR LSOW SIDE DUAL 8SOIC
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.514
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 3 - apr 8 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AUIRS44261S Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAUIRS44261S
CategoriaSemiconduttoriCI di gestione dell'alimentazionePMIC - Gate driver
Datasheet
AUIRS44261S, AUIRS44261S Datasheet (Totale pagine: 21, Dimensioni: 492,71 KB)
PDFAUIRS44261S Datasheet Copertura
AUIRS44261S Datasheet Pagina 2 AUIRS44261S Datasheet Pagina 3 AUIRS44261S Datasheet Pagina 4 AUIRS44261S Datasheet Pagina 5 AUIRS44261S Datasheet Pagina 6 AUIRS44261S Datasheet Pagina 7 AUIRS44261S Datasheet Pagina 8 AUIRS44261S Datasheet Pagina 9 AUIRS44261S Datasheet Pagina 10 AUIRS44261S Datasheet Pagina 11

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AUIRS44261S Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SerieAutomotive, AEC-Q100
Configurazione guidataLow-Side
Tipo di canaleIndependent
Numero di driver2
Tipo di portaIGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Tensione - Alimentazione4.8V ~ 20V
Tensione logica - VIL, VIH0.8V, 2.7V
Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)2.3A, 3.3A
Tipo di ingressoInverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)-
Tempo di salita / discesa (tipico)15ns, 25ns
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOIC

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

3-Phase

Numero di driver

6

Tipo di porta

IGBT, N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

10V ~ 20V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

250mA, 500mA

Tipo di ingresso

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

1200V

Tempo di salita / discesa (tipico)

90ns, 40ns

Temperatura di esercizio

125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

28-SOIC

FL3100TMPX

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Single

Numero di driver

1

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 18V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

3A, 3A

Tipo di ingresso

Inverting, Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

13ns, 9ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-VDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

6-MLP (2x2)

TC1411VPA

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Single

Numero di driver

1

Tipo di porta

N-Channel, P-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 16V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

1A, 1A

Tipo di ingresso

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

25ns, 25ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-PDIP

NCP5111PG

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Synchronous

Numero di driver

2

Tipo di porta

IGBT, N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

10V ~ 20V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.3V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

250mA, 500mA

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Tempo di salita / discesa (tipico)

85ns, 35ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-PDIP

98-0066

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Configurazione guidata

High-Side or Low-Side

Tipo di canale

Single

Numero di driver

1

Tipo di porta

IGBT, N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

12V ~ 20V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 3V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

250mA, 500mA

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Tempo di salita / discesa (tipico)

80ns, 40ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

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