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AUIRS20161S

AUIRS20161S

Solo per riferimento

Numero parte AUIRS20161S
PNEDA Part # AUIRS20161S
Descrizione IC DRVR IGBT/MOSFET 8SOIC
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.634
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 28 - mag 3 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AUIRS20161S Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAUIRS20161S
CategoriaSemiconduttoriCI di gestione dell'alimentazionePMIC - Gate driver
Datasheet
AUIRS20161S, AUIRS20161S Datasheet (Totale pagine: 25, Dimensioni: 310,37 KB)
PDFAUIRS20161S Datasheet Copertura
AUIRS20161S Datasheet Pagina 2 AUIRS20161S Datasheet Pagina 3 AUIRS20161S Datasheet Pagina 4 AUIRS20161S Datasheet Pagina 5 AUIRS20161S Datasheet Pagina 6 AUIRS20161S Datasheet Pagina 7 AUIRS20161S Datasheet Pagina 8 AUIRS20161S Datasheet Pagina 9 AUIRS20161S Datasheet Pagina 10 AUIRS20161S Datasheet Pagina 11

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AUIRS20161S Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SerieAutomotive, AEC-Q100
Configurazione guidataHigh-Side
Tipo di canaleSingle
Numero di driver1
Tipo di portaIGBT, N-Channel MOSFET
Tensione - Alimentazione4.4V ~ 6.5V
Tensione logica - VIL, VIH-
Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)500mA, 500mA
Tipo di ingressoInverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)150V
Tempo di salita / discesa (tipico)200ns, 200ns
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOIC

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Synchronous

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 13.2V

Tensione logica - VIL, VIH

0.7V, 3.4V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

-

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

35V

Tempo di salita / discesa (tipico)

16ns, 11ns

Temperatura di esercizio

0°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-VFDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-DFN (2x2)

ISL2111ABZ-T

Renesas Electronics America Inc.

Produttore

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

8V ~ 14V

Tensione logica - VIL, VIH

1.4V, 2.2V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

3A, 4A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

114V

Tempo di salita / discesa (tipico)

9ns, 7.5ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

TPS2813PWR

Texas Instruments

Produttore

Serie

-

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Synchronous

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel, P-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4V ~ 14V

Tensione logica - VIL, VIH

1V, 4V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

2A, 2A

Tipo di ingresso

Inverting, Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

14ns, 15ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-TSSOP

MCP14E6-E/SN

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 18V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

2A, 2A

Tipo di ingresso

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

12ns, 15ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

UCC27524DR

Texas Instruments

Produttore

Serie

-

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

IGBT, N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 18V

Tensione logica - VIL, VIH

1V, 2.3V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

5A, 5A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

7ns, 6ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 140°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

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