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AUIRLU3110Z

AUIRLU3110Z

Solo per riferimento

Numero parte AUIRLU3110Z
PNEDA Part # AUIRLU3110Z
Descrizione MOSFET N-CH 100V 63A IPAK
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.488
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 25 - nov 30 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AUIRLU3110Z Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAUIRLU3110Z
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
AUIRLU3110Z, AUIRLU3110Z Datasheet (Totale pagine: 12, Dimensioni: 714,06 KB)
PDFAUIRLU3110Z Datasheet Copertura
AUIRLU3110Z Datasheet Pagina 2 AUIRLU3110Z Datasheet Pagina 3 AUIRLU3110Z Datasheet Pagina 4 AUIRLU3110Z Datasheet Pagina 5 AUIRLU3110Z Datasheet Pagina 6 AUIRLU3110Z Datasheet Pagina 7 AUIRLU3110Z Datasheet Pagina 8 AUIRLU3110Z Datasheet Pagina 9 AUIRLU3110Z Datasheet Pagina 10 AUIRLU3110Z Datasheet Pagina 11

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AUIRLU3110Z Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SerieHEXFET®
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C42A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs14mOhm @ 38A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs48nC @ 4.5V
Vgs (massimo)-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds3980pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)140W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreI-PAK
Pacchetto / CustodiaTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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Produttore

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Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

85A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.8mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.9V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

37nC @ 1V

Vgs (massimo)

±12V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2120pF @ 15V

Funzione FET

Schottky Diode (Body)

Dissipazione di potenza (max)

42W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-DFN (5x6)

Pacchetto / Custodia

8-PowerSMD, Flat Leads

NTS4001NT1G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

270mA (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.5Ohm @ 10mA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.3nC @ 5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

33pF @ 5V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

330mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SC-70-3 (SOT323)

Pacchetto / Custodia

SC-70, SOT-323

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Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSIV

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

35A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10.3mOhm @ 17.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

28nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1370pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

58W (Tc)

Temperatura di esercizio

175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

DPAK+

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

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Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.4A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

451mOhm @ 2.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.2nC @ 10V

Vgs (massimo)

±25V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

295pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Ta), 28W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D-Pak

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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Produttore

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Serie

HEXFET®

Tipo FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

55V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

20A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

105mOhm @ 3.4A, 10V

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Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

660pF @ 50V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

79W (Tc)

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D-Pak

Pacchetto / Custodia

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