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AT49F001NT-12PC

AT49F001NT-12PC

Solo per riferimento

Numero parte AT49F001NT-12PC
PNEDA Part # AT49F001NT-12PC
Descrizione IC FLASH 1M PARALLEL 32DIP
Produttore Microchip Technology
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.272
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 19 - apr 24 (Scegli Spedizione rapida)
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AT49F001NT-12PC Risorse

Brand Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAT49F001NT-12PC
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AT49F001NT-12PC, AT49F001NT-12PC Datasheet (Totale pagine: 22, Dimensioni: 208,25 KB)
PDFAT49F001N-90VI Datasheet Copertura
AT49F001N-90VI Datasheet Pagina 2 AT49F001N-90VI Datasheet Pagina 3 AT49F001N-90VI Datasheet Pagina 4 AT49F001N-90VI Datasheet Pagina 5 AT49F001N-90VI Datasheet Pagina 6 AT49F001N-90VI Datasheet Pagina 7 AT49F001N-90VI Datasheet Pagina 8 AT49F001N-90VI Datasheet Pagina 9 AT49F001N-90VI Datasheet Pagina 10 AT49F001N-90VI Datasheet Pagina 11

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AT49F001NT-12PC Specifiche

ProduttoreMicrochip Technology
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH
Dimensione della memoria1Mb (128K x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina50µs
Tempo di accesso120ns
Tensione - Alimentazione4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TC)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / Custodia32-DIP (0.600", 15.24mm)
Pacchetto dispositivo fornitore32-PDIP

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Produttore

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Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

NVSRAM

Tecnologia

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Dimensione della memoria

64Kb (8K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

200ns

Tempo di accesso

200ns

Tensione - Alimentazione

4.75V ~ 5.25V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

28-DIP Module (0.600", 15.24mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

28-EDIP

MT29E512G08CUCDBJ6-6:D

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

512Gb (64G x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

167MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

132-LBGA (12x18)

CY14E116N-Z30XIT

Cypress Semiconductor

Produttore

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Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

NVSRAM

Tecnologia

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Dimensione della memoria

16Mb (1M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

30ns

Tempo di accesso

30ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

48-TSOP I

S29GL512T11FAIV20

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

GL-T

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

512Mb (64M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

60ns

Tempo di accesso

110ns

Tensione - Alimentazione

1.65V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

64-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

64-FBGA (13x11)

BR24L64FJ-WE2

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Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

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Tipo di memoria

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Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

64Kb (8K x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

400kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.8V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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