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AT45DB161E-SSHD2B-T

AT45DB161E-SSHD2B-T

Solo per riferimento

Numero parte AT45DB161E-SSHD2B-T
PNEDA Part # AT45DB161E-SSHD2B-T
Descrizione IC FLASH 16M SPI 85MHZ 8SOIC
Produttore Adesto Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.282
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 5 - apr 10 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AT45DB161E-SSHD2B-T Risorse

Brand Adesto Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAT45DB161E-SSHD2B-T
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AT45DB161E-SSHD2B-T, AT45DB161E-SSHD2B-T Datasheet (Totale pagine: 74, Dimensioni: 2.532,43 KB)
PDFAT45DB161E-CCUF-T Datasheet Copertura
AT45DB161E-CCUF-T Datasheet Pagina 2 AT45DB161E-CCUF-T Datasheet Pagina 3 AT45DB161E-CCUF-T Datasheet Pagina 4 AT45DB161E-CCUF-T Datasheet Pagina 5 AT45DB161E-CCUF-T Datasheet Pagina 6 AT45DB161E-CCUF-T Datasheet Pagina 7 AT45DB161E-CCUF-T Datasheet Pagina 8 AT45DB161E-CCUF-T Datasheet Pagina 9 AT45DB161E-CCUF-T Datasheet Pagina 10 AT45DB161E-CCUF-T Datasheet Pagina 11

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AT45DB161E-SSHD2B-T Specifiche

ProduttoreAdesto Technologies
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH
Dimensione della memoria16Mb (512 Bytes x 4096 pages)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock85MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina8µs, 4ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione2.5V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOIC

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Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

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Tipo di memoria

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Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

2Gb (128M x 16)(NAND), 1Gb (32M x 32)(LPDRAM)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

130-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

130-VFBGA (8x9)

CY7C1426KV18-250BZC

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

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Dimensione della memoria

36Mb (4M x 9)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

250MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

165-FBGA (13x15)

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Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

32Kb (4K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

3MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

MT29F256G08EBHAFB16A3WC1-M

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

4Kb (512 x 8)

Interfaccia di memoria

Single Wire

Frequenza di clock

100kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

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