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AT28HC256E-90FM/883

AT28HC256E-90FM/883

Solo per riferimento

Numero parte AT28HC256E-90FM/883
PNEDA Part # AT28HC256E-90FM-883
Descrizione IC EEPROM 256K PARALLEL 28FLATPK
Produttore Microchip Technology
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.750
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 12 - apr 17 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AT28HC256E-90FM/883 Risorse

Brand Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAT28HC256E-90FM/883
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria

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AT28HC256E-90FM/883 Specifiche

ProduttoreMicrochip Technology
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaEEPROM
TecnologiaEEPROM
Dimensione della memoria256Kb (32K x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina10ms
Tempo di accesso90ns
Tensione - Alimentazione4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio-55°C ~ 125°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia28-CFlatPack
Pacchetto dispositivo fornitore28-Flatpack, Ceramic Bottom-Brazed

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S99-50275

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

MT29F4T08CTCBBM5-37ES:B TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

4Tb (512G x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

267MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

MT29C8G96MAZBADKD-5 WT TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH, RAM

Tecnologia

FLASH - NAND, Mobile LPDRAM

Dimensione della memoria

8Gb (512M x 16)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-25°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

168-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

168-VFBGA (12x12)

MT29F256G08CJAAAWP-Z:A TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

256Gb (32G x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

48-TSOP I

CY7C1518KV18-300BZXC

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, DDR II

Dimensione della memoria

72Mb (4M x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

300MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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