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AT28BV64B-25SI

AT28BV64B-25SI

Solo per riferimento

Numero parte AT28BV64B-25SI
PNEDA Part # AT28BV64B-25SI
Descrizione IC EEPROM 64K PARALLEL 28SOIC
Produttore Microchip Technology
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.452
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 14 - apr 19 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AT28BV64B-25SI Risorse

Brand Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAT28BV64B-25SI
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AT28BV64B-25SI, AT28BV64B-25SI Datasheet (Totale pagine: 17, Dimensioni: 363,21 KB)
PDFAT28BV64B-25SU Datasheet Copertura
AT28BV64B-25SU Datasheet Pagina 2 AT28BV64B-25SU Datasheet Pagina 3 AT28BV64B-25SU Datasheet Pagina 4 AT28BV64B-25SU Datasheet Pagina 5 AT28BV64B-25SU Datasheet Pagina 6 AT28BV64B-25SU Datasheet Pagina 7 AT28BV64B-25SU Datasheet Pagina 8 AT28BV64B-25SU Datasheet Pagina 9 AT28BV64B-25SU Datasheet Pagina 10 AT28BV64B-25SU Datasheet Pagina 11

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AT28BV64B-25SI Specifiche

ProduttoreMicrochip Technology
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaEEPROM
TecnologiaEEPROM
Dimensione della memoria64Kb (8K x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina10ms
Tempo di accesso250ns
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore28-SOIC

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Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

NVSRAM

Tecnologia

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Dimensione della memoria

64Kb (8K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

45ns

Tempo di accesso

45ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

28-SOIC (0.342", 8.69mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

28-SOIC

MT25QU256ABA8ESF-MSIT

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

256Mb (32M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

8ms, 2.8ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 2V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

16-SOP2

MT46V64M8CY-5B AIT:J

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR

Dimensione della memoria

512Mb (64M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

700ps

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 2.7V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

60-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

60-FBGA (8x12.5)

MTFC128GAPALNA-AIT ES

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

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Dimensione della memoria

128Kb (16K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

55ns

Tempo di accesso

55ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

68-BPGA

Pacchetto dispositivo fornitore

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