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AT27BV1024-12VC

AT27BV1024-12VC

Solo per riferimento

Numero parte AT27BV1024-12VC
PNEDA Part # AT27BV1024-12VC
Descrizione IC EPROM 1M PARALLEL 40VSOP
Produttore Microchip Technology
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.410
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 6 - apr 11 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AT27BV1024-12VC Risorse

Brand Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAT27BV1024-12VC
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AT27BV1024-12VC, AT27BV1024-12VC Datasheet (Totale pagine: 12, Dimensioni: 221,44 KB)
PDFAT27BV1024-12JU Datasheet Copertura
AT27BV1024-12JU Datasheet Pagina 2 AT27BV1024-12JU Datasheet Pagina 3 AT27BV1024-12JU Datasheet Pagina 4 AT27BV1024-12JU Datasheet Pagina 5 AT27BV1024-12JU Datasheet Pagina 6 AT27BV1024-12JU Datasheet Pagina 7 AT27BV1024-12JU Datasheet Pagina 8 AT27BV1024-12JU Datasheet Pagina 9 AT27BV1024-12JU Datasheet Pagina 10 AT27BV1024-12JU Datasheet Pagina 11

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AT27BV1024-12VC Specifiche

ProduttoreMicrochip Technology
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaEPROM
TecnologiaEPROM - OTP
Dimensione della memoria1Mb (64K x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso120ns
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia40-TFSOP (0.488", 12.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore40-VSOP

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Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

128Kb (16K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

20MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.6V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOP-J

CY7C1470BV33-167BZCT

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

NoBL™

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

72Mb (2M x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

167MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

3.4ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

165-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

165-FBGA (15x17)

MT29VZZZAD8HQKPR-053 W.G8C

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

AT45DB081D-MU

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Produttore

Adesto Technologies

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

8Mb (264 Bytes x 4096 pages)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

66MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

4ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-VDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-VDFN (6x5)

S29GL128P90FASS00

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

GL-P

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

128Mb (16M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

90ns

Tempo di accesso

90ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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