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AT25XE512C-XMHN-B

AT25XE512C-XMHN-B

Solo per riferimento

Numero parte AT25XE512C-XMHN-B
PNEDA Part # AT25XE512C-XMHN-B
Descrizione IC FLASH 512K SPI 104MHZ 8TSSOP
Produttore Adesto Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.158
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 6 - apr 11 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AT25XE512C-XMHN-B Risorse

Brand Adesto Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAT25XE512C-XMHN-B
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AT25XE512C-XMHN-B, AT25XE512C-XMHN-B Datasheet (Totale pagine: 41, Dimensioni: 2.378,15 KB)
PDFAT25XE512C-XMHN-B Datasheet Copertura
AT25XE512C-XMHN-B Datasheet Pagina 2 AT25XE512C-XMHN-B Datasheet Pagina 3 AT25XE512C-XMHN-B Datasheet Pagina 4 AT25XE512C-XMHN-B Datasheet Pagina 5 AT25XE512C-XMHN-B Datasheet Pagina 6 AT25XE512C-XMHN-B Datasheet Pagina 7 AT25XE512C-XMHN-B Datasheet Pagina 8 AT25XE512C-XMHN-B Datasheet Pagina 9 AT25XE512C-XMHN-B Datasheet Pagina 10 AT25XE512C-XMHN-B Datasheet Pagina 11

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AT25XE512C-XMHN-B Specifiche

ProduttoreAdesto Technologies
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH
Dimensione della memoria512Kb (64K x 8)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock104MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina12µs, 3ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione1.65V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-TSSOP

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Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

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Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

128Mb (8M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

5.5ns

Tensione - Alimentazione

2.3V ~ 2.7V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

54-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

54-TFBGA (8x8)

S29GL512S11DHSS10

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

512Mb (32M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

60ns

Tempo di accesso

110ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

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Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

2Mb (64K x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

83MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

6ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.63V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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IDT71124S12Y8

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

1Mb (128K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

12ns

Tempo di accesso

12ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Micron Technology Inc.

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Tipo di memoria

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Formato memoria

FLASH

Tecnologia

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Dimensione della memoria

256Gb (32G x 8)

Interfaccia di memoria

MMC

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

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Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

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Temperatura di esercizio

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