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AT25HP512C1-10CI-2.7

AT25HP512C1-10CI-2.7

Solo per riferimento

Numero parte AT25HP512C1-10CI-2.7
PNEDA Part # AT25HP512C1-10CI-2-7
Descrizione IC EEPROM 512K SPI 10MHZ 8LAP
Produttore Microchip Technology
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Disponibile 4.554
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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AT25HP512C1-10CI-2.7 Risorse

Brand Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAT25HP512C1-10CI-2.7
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AT25HP512C1-10CI-2.7, AT25HP512C1-10CI-2.7 Datasheet (Totale pagine: 21, Dimensioni: 415,08 KB)
PDFAT25HP512W210SU2.7 Datasheet Copertura
AT25HP512W210SU2.7 Datasheet Pagina 2 AT25HP512W210SU2.7 Datasheet Pagina 3 AT25HP512W210SU2.7 Datasheet Pagina 4 AT25HP512W210SU2.7 Datasheet Pagina 5 AT25HP512W210SU2.7 Datasheet Pagina 6 AT25HP512W210SU2.7 Datasheet Pagina 7 AT25HP512W210SU2.7 Datasheet Pagina 8 AT25HP512W210SU2.7 Datasheet Pagina 9 AT25HP512W210SU2.7 Datasheet Pagina 10 AT25HP512W210SU2.7 Datasheet Pagina 11

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AT25HP512C1-10CI-2.7 Specifiche

ProduttoreMicrochip Technology
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaEEPROM
TecnologiaEEPROM
Dimensione della memoria512Kb (64K x 8)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock10MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina10ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-TDFN
Pacchetto dispositivo fornitore8-LAP (8x5)

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Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM

Dimensione della memoria

128Mb (8M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

5.4ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

54-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

54-VFBGA (8x8)

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Produttore

Winbond Electronics

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR3

Dimensione della memoria

1Gb (64M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

933MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

1.425V ~ 1.575V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

96-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

96-VFBGA (7.5x13)

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Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR

Dimensione della memoria

256Mb (64M x 4)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

167MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

700ps

Tensione - Alimentazione

2.3V ~ 2.7V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

66-TSOP

PZ28F032M29EWBA

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

32Mb (4M x 8, 2M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

60ns

Tempo di accesso

60ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

48-BGA (6x8)

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Produttore

Cypress Semiconductor Corp

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

512Mb (32M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

100ns

Tempo di accesso

100ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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