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AT25DN512C-MAHF-Y

AT25DN512C-MAHF-Y

Solo per riferimento

Numero parte AT25DN512C-MAHF-Y
PNEDA Part # AT25DN512C-MAHF-Y
Descrizione IC FLASH 512K SPI 104MHZ 8UDFN
Produttore Adesto Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.570
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 24 - nov 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AT25DN512C-MAHF-Y Risorse

Brand Adesto Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAT25DN512C-MAHF-Y
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AT25DN512C-MAHF-Y, AT25DN512C-MAHF-Y Datasheet (Totale pagine: 40, Dimensioni: 2.214,8 KB)
PDFAT25DN512C-MAHF-Y Datasheet Copertura
AT25DN512C-MAHF-Y Datasheet Pagina 2 AT25DN512C-MAHF-Y Datasheet Pagina 3 AT25DN512C-MAHF-Y Datasheet Pagina 4 AT25DN512C-MAHF-Y Datasheet Pagina 5 AT25DN512C-MAHF-Y Datasheet Pagina 6 AT25DN512C-MAHF-Y Datasheet Pagina 7 AT25DN512C-MAHF-Y Datasheet Pagina 8 AT25DN512C-MAHF-Y Datasheet Pagina 9 AT25DN512C-MAHF-Y Datasheet Pagina 10 AT25DN512C-MAHF-Y Datasheet Pagina 11

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AT25DN512C-MAHF-Y Specifiche

ProduttoreAdesto Technologies
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH
Dimensione della memoria512Kb (64K x 8)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock104MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina8µs, 1.75ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione2.3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-UFDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore8-UDFN (2x3)

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Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR2

Dimensione della memoria

512Mb (32M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

400MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

400ps

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

84-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

84-TWBGA (8x12.5)

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Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

32Kb (4K x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

1MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.6V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

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Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

64Gb (8G x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

83MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EPROM

Tecnologia

EPROM - OTP

Dimensione della memoria

2Mb (256K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

55ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

32-DIP (0.600", 15.24mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

32-PDIP

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Produttore

Micron Technology Inc.

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Tipo di memoria

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Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR

Dimensione della memoria

512Mb (64M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

167MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

700ps

Tensione - Alimentazione

2.3V ~ 2.7V

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Tipo di montaggio

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