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AT25020AN-10SI-2.7

AT25020AN-10SI-2.7

Solo per riferimento

Numero parte AT25020AN-10SI-2.7
PNEDA Part # AT25020AN-10SI-2-7
Descrizione IC EEPROM 2K SPI 20MHZ 8SOIC
Produttore Microchip Technology
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Disponibile 2.708
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AT25020AN-10SI-2.7 Risorse

Brand Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAT25020AN-10SI-2.7
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AT25020AN-10SI-2.7, AT25020AN-10SI-2.7 Datasheet (Totale pagine: 20, Dimensioni: 580,05 KB)
PDFAT25040AN-10SI-2.7-T Datasheet Copertura
AT25040AN-10SI-2.7-T Datasheet Pagina 2 AT25040AN-10SI-2.7-T Datasheet Pagina 3 AT25040AN-10SI-2.7-T Datasheet Pagina 4 AT25040AN-10SI-2.7-T Datasheet Pagina 5 AT25040AN-10SI-2.7-T Datasheet Pagina 6 AT25040AN-10SI-2.7-T Datasheet Pagina 7 AT25040AN-10SI-2.7-T Datasheet Pagina 8 AT25040AN-10SI-2.7-T Datasheet Pagina 9 AT25040AN-10SI-2.7-T Datasheet Pagina 10 AT25040AN-10SI-2.7-T Datasheet Pagina 11

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AT25020AN-10SI-2.7 Specifiche

ProduttoreMicrochip Technology
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaEEPROM
TecnologiaEEPROM
Dimensione della memoria2Kb (256 x 8)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock20MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina5ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOIC

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Produttore

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Serie

-

Tipo di memoria

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Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

18Mb (512K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

250MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

165-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

165-FBGA (13x15)

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Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

FL-S

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

128Mb (16M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI - Quad I/O

Frequenza di clock

108MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

8Kb (1K x 8, 512 x 16)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

2MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

MT49H32M18CFM-18:B

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

DRAM

Dimensione della memoria

576Mb (32M x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

533MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

15ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

144-µBGA (18.5x11)

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Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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