AT24C64BN-10SU-1.8
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| Numero parte | AT24C64BN-10SU-1.8 |
| PNEDA Part # | AT24C64BN-10SU-1-8 |
| Descrizione | IC EEPROM 64K I2C 400KHZ 8SOIC |
| Produttore | Microchip Technology |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.858 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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AT24C64BN-10SU-1.8 Risorse
| Brand | Microchip Technology |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | AT24C64BN-10SU-1.8 |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
| Datasheet |
AT24C64BN-10SU-1.8, AT24C64BN-10SU-1.8 Datasheet
(Totale pagine: 19, Dimensioni: 913,06 KB)
  
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AT24C64BN-10SU-1.8 Specifiche
| Produttore | Microchip Technology |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato memoria | EEPROM |
| Tecnologia | EEPROM |
| Dimensione della memoria | 64Kb (8K x 8) |
| Interfaccia di memoria | I²C |
| Frequenza di clock | 400kHz |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | 5ms |
| Tempo di accesso | 900ns |
| Tensione - Alimentazione | 1.8V ~ 5.5V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
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Produttore Microchip Technology Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria EEPROM Tecnologia EEPROM Dimensione della memoria 4Kb (512 x 8, 256 x 16) Interfaccia di memoria SPI Frequenza di clock 2MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 10ms Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 2.7V ~ 5.5V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC |
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Produttore Micron Technology Inc. Serie * Tipo di memoria - Formato memoria - Tecnologia - Dimensione della memoria - Interfaccia di memoria - Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria NVSRAM Tecnologia NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Dimensione della memoria 1Mb (128K x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 85ns Tempo di accesso 85ns Tensione - Alimentazione 4.75V ~ 5.5V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 32-DIP Module (0.61", 15.49mm) Pacchetto dispositivo fornitore 32-DIP Module (18.42x42.8) |
