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AT24C04BY6-YH-T

AT24C04BY6-YH-T

Solo per riferimento

Numero parte AT24C04BY6-YH-T
PNEDA Part # AT24C04BY6-YH-T
Descrizione IC EEPROM 4K I2C 1MHZ 8MINI MAP
Produttore Microchip Technology
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.598
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata dic 1 - dic 6 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AT24C04BY6-YH-T Risorse

Brand Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAT24C04BY6-YH-T
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AT24C04BY6-YH-T, AT24C04BY6-YH-T Datasheet (Totale pagine: 28, Dimensioni: 495,74 KB)
PDFAT24C04BU3-UU-T Datasheet Copertura
AT24C04BU3-UU-T Datasheet Pagina 2 AT24C04BU3-UU-T Datasheet Pagina 3 AT24C04BU3-UU-T Datasheet Pagina 4 AT24C04BU3-UU-T Datasheet Pagina 5 AT24C04BU3-UU-T Datasheet Pagina 6 AT24C04BU3-UU-T Datasheet Pagina 7 AT24C04BU3-UU-T Datasheet Pagina 8 AT24C04BU3-UU-T Datasheet Pagina 9 AT24C04BU3-UU-T Datasheet Pagina 10 AT24C04BU3-UU-T Datasheet Pagina 11

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AT24C04BY6-YH-T Specifiche

ProduttoreMicrochip Technology
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaEEPROM
TecnologiaEEPROM
Dimensione della memoria4Kb (512 x 8)
Interfaccia di memoriaI²C
Frequenza di clock1MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina5ms
Tempo di accesso550ns
Tensione - Alimentazione1.8V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-UFDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore8-Mini Map (2x3)

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Volatile

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Dimensione della memoria

18Mb (512K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

333MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

165-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

165-FBGA (13x15)

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Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR4

Dimensione della memoria

48Gb (768M x 64)

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

1866MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.1V

Temperatura di esercizio

-30°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

GL-S

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

512Mb (64M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

60ns

Tempo di accesso

110ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

56-TSOP

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Produttore

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Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

4Mb (256K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

12ns

Tempo di accesso

12ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

48-CABGA (9x9)

IS42RM32400H-6BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile

Dimensione della memoria

128Mb (4M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

5.5ns

Tensione - Alimentazione

2.3V ~ 2.7V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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