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AT24C04B-PU

AT24C04B-PU

Solo per riferimento

Numero parte AT24C04B-PU
PNEDA Part # AT24C04B-PU
Descrizione IC EEPROM 4K I2C 1MHZ 8DIP
Produttore Microchip Technology
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 1.995
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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AT24C04B-PU Risorse

Brand Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAT24C04B-PU
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AT24C04B-PU, AT24C04B-PU Datasheet (Totale pagine: 28, Dimensioni: 495,74 KB)
PDFAT24C04BU3-UU-T Datasheet Copertura
AT24C04BU3-UU-T Datasheet Pagina 2 AT24C04BU3-UU-T Datasheet Pagina 3 AT24C04BU3-UU-T Datasheet Pagina 4 AT24C04BU3-UU-T Datasheet Pagina 5 AT24C04BU3-UU-T Datasheet Pagina 6 AT24C04BU3-UU-T Datasheet Pagina 7 AT24C04BU3-UU-T Datasheet Pagina 8 AT24C04BU3-UU-T Datasheet Pagina 9 AT24C04BU3-UU-T Datasheet Pagina 10 AT24C04BU3-UU-T Datasheet Pagina 11

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AT24C04B-PU Specifiche

ProduttoreMicrochip Technology
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaEEPROM
TecnologiaEEPROM
Dimensione della memoria4Kb (512 x 8)
Interfaccia di memoriaI²C
Frequenza di clock1MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina5ms
Tempo di accesso550ns
Tensione - Alimentazione1.8V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / Custodia8-DIP (0.300", 7.62mm)
Pacchetto dispositivo fornitore8-PDIP

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Produttore

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Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

Dimensione della memoria

9Mb (256K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

7.5ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.465V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

100-TQFP (14x14)

CY7C1315LV18-250BZC

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, QDR II

Dimensione della memoria

18Mb (512K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

250MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

165-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

165-FBGA (13x15)

CY7C1545V18-333BZC

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, QDR II

Dimensione della memoria

72Mb (2M x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

333MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

165-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

165-FBGA (15x17)

MT42L128M64D2MP-25 WT:A TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR2

Dimensione della memoria

8Gb (128M x 64)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

400MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.14V ~ 1.3V

Temperatura di esercizio

-30°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

220-WFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

220-FBGA (14x14)

71V256S10YG8

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ns

Tempo di accesso

10ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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