AS6C8016A-55BINTR
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| Numero parte | AS6C8016A-55BINTR |
| PNEDA Part # | AS6C8016A-55BINTR |
| Descrizione | IC SRAM 8M PARALLEL 48FPBGA |
| Produttore | Alliance Memory, Inc. |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.646 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 17 - apr 22 (Scegli Spedizione rapida) |
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AS6C8016A-55BINTR Risorse
| Brand | Alliance Memory, Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | AS6C8016A-55BINTR |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
| Datasheet |
AS6C8016A-55BINTR, AS6C8016A-55BINTR Datasheet
(Totale pagine: 13, Dimensioni: 1.103,2 KB)
  
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AS6C8016A-55BINTR Specifiche
| Produttore | Alliance Memory, Inc. |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Volatile |
| Formato memoria | SRAM |
| Tecnologia | SRAM - Asynchronous |
| Dimensione della memoria | 8Mb (512K x 16) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | - |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | 55ns |
| Tempo di accesso | 55ns |
| Tensione - Alimentazione | 2.7V ~ 3.6V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 48-VFBGA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 48-FPBGA (10x8) |
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Produttore Microchip Technology Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria EEPROM Tecnologia EEPROM Dimensione della memoria 8Kb (1K x 8) Interfaccia di memoria I²C Frequenza di clock 400kHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 5ms Tempo di accesso 4.5µs Tensione - Alimentazione 1.8V ~ 5.5V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 8-DIP (0.300", 7.62mm) Pacchetto dispositivo fornitore 8-PDIP |
