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AS6C8016A-55BIN

AS6C8016A-55BIN

Solo per riferimento

Numero parte AS6C8016A-55BIN
PNEDA Part # AS6C8016A-55BIN
Descrizione IC SRAM 8M PARALLEL 48FPBGA
Produttore Alliance Memory, Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.948
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 16 - apr 21 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AS6C8016A-55BIN Risorse

Brand Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAS6C8016A-55BIN
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AS6C8016A-55BIN, AS6C8016A-55BIN Datasheet (Totale pagine: 13, Dimensioni: 1.103,2 KB)
PDFAS6C8016A-55BINTR Datasheet Copertura
AS6C8016A-55BINTR Datasheet Pagina 2 AS6C8016A-55BINTR Datasheet Pagina 3 AS6C8016A-55BINTR Datasheet Pagina 4 AS6C8016A-55BINTR Datasheet Pagina 5 AS6C8016A-55BINTR Datasheet Pagina 6 AS6C8016A-55BINTR Datasheet Pagina 7 AS6C8016A-55BINTR Datasheet Pagina 8 AS6C8016A-55BINTR Datasheet Pagina 9 AS6C8016A-55BINTR Datasheet Pagina 10 AS6C8016A-55BINTR Datasheet Pagina 11

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  • AS6C8016A-55BIN Distributor

AS6C8016A-55BIN Specifiche

ProduttoreAlliance Memory, Inc.
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria8Mb (512K x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina55ns
Tempo di accesso55ns
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia48-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore48-FPBGA (10x8)

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Produttore

Microchip Technology

Serie

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Tipo di memoria

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Formato memoria

EEPROM

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EEPROM

Dimensione della memoria

128b (16 x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

400kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

4ms

Tempo di accesso

3500ns

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-74A, SOT-753

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-5

S25FS512SDSNFB010

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

Automotive, AEC-Q100, FS-S

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

512Mb (64M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI - Quad I/O, QPI

Frequenza di clock

80MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 2V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-WDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-WSON (6x8)

CY15B104QI-20LPXC

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

MT53B256M32D1NP-053 WT:C TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR4

Dimensione della memoria

8Gb (256M x 32)

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

1866MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.1V

Temperatura di esercizio

-30°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

200-WFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

200-WFBGA (10x14.5)

S25FL512SAGMFIG13

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

FL-S

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

512Mb (64M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI - Quad I/O

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

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