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AS6C3216A-55BIN

AS6C3216A-55BIN

Solo per riferimento

Numero parte AS6C3216A-55BIN
PNEDA Part # AS6C3216A-55BIN
Descrizione IC SRAM 32M PARALLEL 48TFBGA
Produttore Alliance Memory, Inc.
Prezzo unitario
1 ---------- $227,6883
50 ---------- $217,0154
100 ---------- $206,3425
200 ---------- $195,6696
400 ---------- $186,7756
500 ---------- $177,8815
Disponibile 3.372
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 26 - mag 1 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AS6C3216A-55BIN Risorse

Brand Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAS6C3216A-55BIN
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AS6C3216A-55BIN, AS6C3216A-55BIN Datasheet (Totale pagine: 11, Dimensioni: 645,08 KB)
PDFAS6C3216A-55BIN Datasheet Copertura
AS6C3216A-55BIN Datasheet Pagina 2 AS6C3216A-55BIN Datasheet Pagina 3 AS6C3216A-55BIN Datasheet Pagina 4 AS6C3216A-55BIN Datasheet Pagina 5 AS6C3216A-55BIN Datasheet Pagina 6 AS6C3216A-55BIN Datasheet Pagina 7 AS6C3216A-55BIN Datasheet Pagina 8 AS6C3216A-55BIN Datasheet Pagina 9 AS6C3216A-55BIN Datasheet Pagina 10 AS6C3216A-55BIN Datasheet Pagina 11

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  • AS6C3216A-55BIN Distributor

AS6C3216A-55BIN Specifiche

ProduttoreAlliance Memory, Inc.
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM
Dimensione della memoria32Mb (2M x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina55ns
Tempo di accesso55ns
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia48-LFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore48-TFBGA (8x10)

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Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EPROM

Tecnologia

EPROM - OTP

Dimensione della memoria

4Mb (256K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

90ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TC)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

40-DIP (0.600", 15.24mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

40-PDIP

709079S12PFI

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Synchronous

Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

12ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

100-TQFP (14x14)

CAT25080HU2I-GT3

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

8Kb (1K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

10MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.8V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-UFDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-uDFN (2x2)

CY7C037AV-20AXI

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Dimensione della memoria

576Kb (32K x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

20ns

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

100-TQFP (14x14)

IDT71V2559S75BG

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

Dimensione della memoria

4.5Mb (256K x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

7.5ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.465V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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