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AS4PDHM3_A/I

AS4PDHM3_A/I

Solo per riferimento

Numero parte AS4PDHM3_A/I
PNEDA Part # AS4PDHM3_A-I
Descrizione DIODE AVALANCHE 200V 2.4A TO277A
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.046
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 6 - apr 11 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AS4PDHM3_A/I Risorse

Brand Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAS4PDHM3_A/I
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
AS4PDHM3_A/I, AS4PDHM3_A/I Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 93,51 KB)
PDFAS4PMHM3/87A Datasheet Copertura
AS4PMHM3/87A Datasheet Pagina 2 AS4PMHM3/87A Datasheet Pagina 3 AS4PMHM3/87A Datasheet Pagina 4 AS4PMHM3/87A Datasheet Pagina 5

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AS4PDHM3_A/I Specifiche

ProduttoreVishay Semiconductor Diodes Division
SerieAutomotive, AEC-Q101, eSMP®
Tipo di diodoAvalanche
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)200V
Corrente - Media Rettificata (Io)2.4A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.1V @ 4A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)1.8µs
Corrente - Perdita inversa @ Vr10µA @ 200V
Capacità @ Vr, F60pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-277, 3-PowerDFN
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-277A (SMPC)
Temperatura di esercizio - Giunzione-55°C ~ 175°C

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Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

30V

Corrente - Media Rettificata (Io)

350mA (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

600mV @ 200mA

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

10ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 20V

Capacità @ Vr, F

50pF @ 0V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-204AH, DO-35, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-35

Temperatura di esercizio - Giunzione

125°C (Max)

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Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

40V

Corrente - Media Rettificata (Io)

5A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

550mV @ 5A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

500µA @ 40V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-214AA, SMB

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-214AA (SMB)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

JANTXV1N6628US

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/590

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

660V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1.75A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.35V @ 2A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

30ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

2µA @ 660V

Capacità @ Vr, F

40pF @ 10V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SQ-MELF, E

Pacchetto dispositivo fornitore

D-5B

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 150°C

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

790mV @ 3A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

600µA @ 100V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-201AA, DO-27, Axial

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Temperatura di esercizio - Giunzione

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Produttore

Central Semiconductor Corp

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Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1V @ 3A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

50ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 200V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

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