Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

AS4C512M8D3-12BIN

AS4C512M8D3-12BIN

Solo per riferimento

Numero parte AS4C512M8D3-12BIN
PNEDA Part # AS4C512M8D3-12BIN
Descrizione IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA
Produttore Alliance Memory, Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.996
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 29 - dic 4 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AS4C512M8D3-12BIN Risorse

Brand Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAS4C512M8D3-12BIN
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AS4C512M8D3-12BIN, AS4C512M8D3-12BIN Datasheet (Totale pagine: 84, Dimensioni: 2.085,23 KB)
PDFAS4C512M8D3-12BINTR Datasheet Copertura
AS4C512M8D3-12BINTR Datasheet Pagina 2 AS4C512M8D3-12BINTR Datasheet Pagina 3 AS4C512M8D3-12BINTR Datasheet Pagina 4 AS4C512M8D3-12BINTR Datasheet Pagina 5 AS4C512M8D3-12BINTR Datasheet Pagina 6 AS4C512M8D3-12BINTR Datasheet Pagina 7 AS4C512M8D3-12BINTR Datasheet Pagina 8 AS4C512M8D3-12BINTR Datasheet Pagina 9 AS4C512M8D3-12BINTR Datasheet Pagina 10 AS4C512M8D3-12BINTR Datasheet Pagina 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.

Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:

  • Pronta reattività

    Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.

  • Qualità garantita

    I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.

  • Accesso globale

    La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.

Hot search vocabulary

  • AS4C512M8D3-12BIN Datasheet
  • where to find AS4C512M8D3-12BIN
  • Alliance Memory, Inc.

  • Alliance Memory, Inc. AS4C512M8D3-12BIN
  • AS4C512M8D3-12BIN PDF Datasheet
  • AS4C512M8D3-12BIN Stock

  • AS4C512M8D3-12BIN Pinout
  • Datasheet AS4C512M8D3-12BIN
  • AS4C512M8D3-12BIN Supplier

  • Alliance Memory, Inc. Distributor
  • AS4C512M8D3-12BIN Price
  • AS4C512M8D3-12BIN Distributor

AS4C512M8D3-12BIN Specifiche

ProduttoreAlliance Memory, Inc.
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaSDRAM - DDR3
Dimensione della memoria4Gb (512M x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock800MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina15ns
Tempo di accesso20ns
Tensione - Alimentazione1.425V ~ 1.575V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia78-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore78-FBGA (9x10.5)

I prodotti a cui potresti essere interessato

S70FL01GSAGMFB010

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

Automotive, AEC-Q100, FL-S

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

1Gb (128M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI - Quad I/O

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

16-SOIC

N25Q00AA13GSF40G

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

1Gb (256M x 4)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

108MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

8ms, 5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

16-SOP

R1LV1616RSD-5SI#S0

Renesas Electronics America

Produttore

Renesas Electronics America

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM

Dimensione della memoria

16Mb (2M x 8, 1M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

55ns

Tempo di accesso

55ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

52-TFSOP (0.350", 8.89mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

52-TSOP II

IS41LV16105B-60KL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

DRAM - FP

Dimensione della memoria

16Mb (1M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

30ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

42-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

42-SOJ

MT46V32M16FN-75 L:C

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR

Dimensione della memoria

512Mb (32M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

750ps

Tensione - Alimentazione

2.3V ~ 2.7V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

60-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

60-FBGA (10x12.5)

Venduto di recente

MAX1680ESA

MAX1680ESA

Maxim Integrated

IC REG CHARGE PUMP INV 8SOIC

NB-PTCO-157

NB-PTCO-157

TE Connectivity Measurement Specialties

SENSOR RTD 1KOHM 0.001% 2SIP

AT49F040-12TI

AT49F040-12TI

Microchip Technology

IC FLASH 4M PARALLEL 32TSOP

PIC18F63J11-I/PT

PIC18F63J11-I/PT

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 8KB FLASH 64TQFP

XCF32PVOG48C

XCF32PVOG48C

Xilinx

IC PROM SRL/PAR 1.8V 32M 48TSOP

MMBT3904-7-F

MMBT3904-7-F

Diodes Incorporated

TRANS NPN 40V 0.2A SMD SOT23-3

ADUM1400CRWZ

ADUM1400CRWZ

Analog Devices

DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC

ESD9X5.0ST5G

ESD9X5.0ST5G

ON Semiconductor

TVS DIODE 5V 12.3V SOD923

ASDXRRX005NDAA5

ASDXRRX005NDAA5

Honeywell Sensing and Productivity Solutions

SENSOR PRESSURE DIFF 5"" H2O 8DIP

CP2102-GM

CP2102-GM

Silicon Labs

IC USB-TO-UART BRIDGE 28VQFN

HCPL-0631-500E

HCPL-0631-500E

Broadcom

OPTOISO 3.75KV 2CH OPEN COLL 8SO

ADR421ARZ

ADR421ARZ

Analog Devices

IC VREF SERIES 2.5V 8SOIC