Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

AS4C32M32MD1A-5BIN

AS4C32M32MD1A-5BIN

Solo per riferimento

Numero parte AS4C32M32MD1A-5BIN
PNEDA Part # AS4C32M32MD1A-5BIN
Descrizione IC DRAM 1G PARALLEL 90FBGA
Produttore Alliance Memory, Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.756
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mar 16 - mar 21 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AS4C32M32MD1A-5BIN Risorse

Brand Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAS4C32M32MD1A-5BIN
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AS4C32M32MD1A-5BIN, AS4C32M32MD1A-5BIN Datasheet (Totale pagine: 64, Dimensioni: 2.072,78 KB)
PDFAS4C32M32MD1A-5BINTR Datasheet Copertura
AS4C32M32MD1A-5BINTR Datasheet Pagina 2 AS4C32M32MD1A-5BINTR Datasheet Pagina 3 AS4C32M32MD1A-5BINTR Datasheet Pagina 4 AS4C32M32MD1A-5BINTR Datasheet Pagina 5 AS4C32M32MD1A-5BINTR Datasheet Pagina 6 AS4C32M32MD1A-5BINTR Datasheet Pagina 7 AS4C32M32MD1A-5BINTR Datasheet Pagina 8 AS4C32M32MD1A-5BINTR Datasheet Pagina 9 AS4C32M32MD1A-5BINTR Datasheet Pagina 10 AS4C32M32MD1A-5BINTR Datasheet Pagina 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.

Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:

  • Pronta reattività

    Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.

  • Qualità garantita

    I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.

  • Accesso globale

    La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.

Hot search vocabulary

  • AS4C32M32MD1A-5BIN Datasheet
  • where to find AS4C32M32MD1A-5BIN
  • Alliance Memory, Inc.

  • Alliance Memory, Inc. AS4C32M32MD1A-5BIN
  • AS4C32M32MD1A-5BIN PDF Datasheet
  • AS4C32M32MD1A-5BIN Stock

  • AS4C32M32MD1A-5BIN Pinout
  • Datasheet AS4C32M32MD1A-5BIN
  • AS4C32M32MD1A-5BIN Supplier

  • Alliance Memory, Inc. Distributor
  • AS4C32M32MD1A-5BIN Price
  • AS4C32M32MD1A-5BIN Distributor

AS4C32M32MD1A-5BIN Specifiche

ProduttoreAlliance Memory, Inc.
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaSDRAM - Mobile LPDDR
Dimensione della memoria1Gb (32M x 32)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina15ns
Tempo di accesso5ns
Tensione - Alimentazione1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia90-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore90-FBGA (8x13)

I prodotti a cui potresti essere interessato

NAND512W4A0AN6E

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

512Mb (32M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

50ns

Tempo di accesso

50ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

48-TSOP

93AA76B-I/ST

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

8Kb (512 x 16)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

3MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.8V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-TSSOP

S34ML08G201TFB000

SkyHigh Memory Limited

Produttore

SkyHigh Memory Limited

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

MT28EW01GABA1LPC-0AAT

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q100

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

1Gb (128M x 8, 64M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

60ns

Tempo di accesso

105ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

64-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

64-LBGA (11x13)

CY7C1360C-166BZI

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

9Mb (256K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

3.5ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

165-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

165-FBGA (13x15)

Venduto di recente

0501010.WR

0501010.WR

Littelfuse

FUSE BOARD MOUNT 10A 32VDC 1206

MC9S08LG16CLF

MC9S08LG16CLF

NXP

IC MCU 8BIT 18KB FLASH 48LQFP

D2-24044-MR

D2-24044-MR

Renesas Electronics America Inc.

IC DGTL AMP AUDIO PWR D 38HTSSOP

KSZ9031RNXIC

KSZ9031RNXIC

Microchip Technology

IC TRANSCEIVER FULL 4/4 48QFN

VNQ600

VNQ600

STMicroelectronics

RELAY SSR 4-CH HI-SIDE 28-SOIC

TAJE107M025RNJ

TAJE107M025RNJ

CAP TANT 100UF 20% 25V 2917

4TPE100MZB

4TPE100MZB

Panasonic Electronic Components

CAP TANT POLY 100UF 4V 1411

0458002.DR

0458002.DR

Littelfuse

FUSE BRD MNT 2A 48VAC 75VDC 1206

IS42S16160J-6BLI

IS42S16160J-6BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

BAT46WJ,115

BAT46WJ,115

Nexperia

DIODE SCHOTTKY 100V 250MA SOD323

USB3320C-EZK-TR

USB3320C-EZK-TR

Microchip Technology

IC TRANSCEIVER HALF 1/1 32QFN

MAX1681ESA

MAX1681ESA

Maxim Integrated

IC REG CHARGE PUMP INV 8SOIC