AS4C32M16MD1-5BIN
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| Numero parte | AS4C32M16MD1-5BIN |
| PNEDA Part # | AS4C32M16MD1-5BIN |
| Descrizione | IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA |
| Produttore | Alliance Memory, Inc. |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.946 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 24 - nov 29 (Scegli Spedizione rapida) |
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AS4C32M16MD1-5BIN Risorse
| Brand | Alliance Memory, Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | AS4C32M16MD1-5BIN |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
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AS4C32M16MD1-5BIN Specifiche
| Produttore | Alliance Memory, Inc. |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Volatile |
| Formato memoria | DRAM |
| Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR |
| Dimensione della memoria | 512Mb (32M x 16) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | 200MHz |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | 15ns |
| Tempo di accesso | 700ps |
| Tensione - Alimentazione | 1.7V ~ 1.9V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 60-TFBGA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 60-FBGA (8x9) |
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Produttore IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria 4Mb (256K x 16) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 15ns Tempo di accesso 15ns Tensione - Alimentazione 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 44-TSOP II |
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