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AS4C16M32MS-7BCN

AS4C16M32MS-7BCN

Solo per riferimento

Numero parte AS4C16M32MS-7BCN
PNEDA Part # AS4C16M32MS-7BCN
Descrizione IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA
Produttore Alliance Memory, Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.382
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 26 - dic 1 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AS4C16M32MS-7BCN Risorse

Brand Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAS4C16M32MS-7BCN
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AS4C16M32MS-7BCN, AS4C16M32MS-7BCN Datasheet (Totale pagine: 48, Dimensioni: 3.858,46 KB)
PDFAS4C32M16MS-7BCNTR Datasheet Copertura
AS4C32M16MS-7BCNTR Datasheet Pagina 2 AS4C32M16MS-7BCNTR Datasheet Pagina 3 AS4C32M16MS-7BCNTR Datasheet Pagina 4 AS4C32M16MS-7BCNTR Datasheet Pagina 5 AS4C32M16MS-7BCNTR Datasheet Pagina 6 AS4C32M16MS-7BCNTR Datasheet Pagina 7 AS4C32M16MS-7BCNTR Datasheet Pagina 8 AS4C32M16MS-7BCNTR Datasheet Pagina 9 AS4C32M16MS-7BCNTR Datasheet Pagina 10 AS4C32M16MS-7BCNTR Datasheet Pagina 11

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AS4C16M32MS-7BCN Specifiche

ProduttoreAlliance Memory, Inc.
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaSDRAM - Mobile SDRAM
Dimensione della memoria512Mb (16M x 32)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina15ns
Tempo di accesso5.4ns
Tensione - Alimentazione1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio-25°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia90-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore90-FBGA (8x13)

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Serie

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Tipo di memoria

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-

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-

Frequenza di clock

-

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-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Produttore

Adesto Technologies

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

64Mb (264 Bytes x 32K pages)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

85MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

8µs, 5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q100

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR3L

Dimensione della memoria

4Gb (512M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

933MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

1.283V ~ 1.45V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

78-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

78-FBGA (8x10.5)

S40410081B1B1I003

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Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

e.MMC 1B1

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

8Gb (1G x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

153-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

153-VFBGA

RC28F320J3D75E

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

StrataFlash™

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

32Mb (4M x 8, 2M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

75ns

Tempo di accesso

75ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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