AS4C16M32MD1-5BIN
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| Numero parte | AS4C16M32MD1-5BIN |
| PNEDA Part # | AS4C16M32MD1-5BIN |
| Descrizione | IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA |
| Produttore | Alliance Memory, Inc. |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.264 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mar 30 - apr 4 (Scegli Spedizione rapida) |
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AS4C16M32MD1-5BIN Risorse
| Brand | Alliance Memory, Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | AS4C16M32MD1-5BIN |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
| Datasheet |
AS4C16M32MD1-5BIN, AS4C16M32MD1-5BIN Datasheet
(Totale pagine: 58, Dimensioni: 2.054,52 KB)
  
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AS4C16M32MD1-5BIN Specifiche
| Produttore | Alliance Memory, Inc. |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Volatile |
| Formato memoria | DRAM |
| Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR |
| Dimensione della memoria | 512Mb (16M x 32) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | 200MHz |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | 15ns |
| Tempo di accesso | 5ns |
| Tensione - Alimentazione | 1.7V ~ 1.95V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 90-VFBGA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 90-FBGA (8x13) |
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Produttore Microchip Technology Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria EEPROM Tecnologia EEPROM Dimensione della memoria 2Kb (256 x 8) Interfaccia di memoria SPI Frequenza di clock 2MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 6ms Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 1.8V ~ 5.5V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC |
Produttore STMicroelectronics Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria EEPROM Tecnologia EEPROM Dimensione della memoria 4Kb (512 x 8) Interfaccia di memoria I²C Frequenza di clock 400kHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 5ms Tempo di accesso 900ns Tensione - Alimentazione 1.8V ~ 5.5V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO |
Produttore IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Dimensione della memoria 4.5Mb (128K x 36) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso 8.5ns Tensione - Alimentazione 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 165-TBGA Pacchetto dispositivo fornitore 165-CABGA (13x15) |
Produttore Micron Technology Inc. Serie StrataFlash™ Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria FLASH Tecnologia FLASH - NOR Dimensione della memoria 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 96ns Tempo di accesso 96ns Tensione - Alimentazione 1.7V ~ 2V Temperatura di esercizio -30°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 64-TBGA Pacchetto dispositivo fornitore 64-EasyBGA (8x10) |
