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APTM100A13SCG

APTM100A13SCG

Solo per riferimento

Numero parte APTM100A13SCG
PNEDA Part # APTM100A13SCG
Descrizione MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.100
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 4 - apr 9 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

APTM100A13SCG Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAPTM100A13SCG
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array

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APTM100A13SCG Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Half Bridge)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)1000V (1kV)
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C65A
Rds On (Max) @ Id, Vgs156mOhm @ 32.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 6mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs562nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds15200pF @ 25V
Potenza - Max1250W
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaSP6
Pacchetto dispositivo fornitoreSP6

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Tipo FET

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Funzione FET

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200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

10A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

175mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

850pF @ 10V

Potenza - Max

5W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

12-SIP

Pacchetto dispositivo fornitore

12-SIP w/fin

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo FET

4 N-Channel (H-Bridge)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

46A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

90mOhm @ 23A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

123nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5600pF @ 25V

Potenza - Max

357W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP3

Pacchetto dispositivo fornitore

SP3

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Produttore

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Serie

-

Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V, 20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

250mA, 880mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.5Ohm @ 10mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.5nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

33pF @ 5V

Potenza - Max

270mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate, 1.8V Drive

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

84mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.8nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

129pF @ 15V

Potenza - Max

1W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-WDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

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Funzione FET

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.9A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

85mOhm @ 2.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12.1nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1021pF @ 30V

Potenza - Max

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