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APTGV75H60T3G

APTGV75H60T3G

Solo per riferimento

Numero parte APTGV75H60T3G
PNEDA Part # APTGV75H60T3G
Descrizione IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.088
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 24 - nov 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

APTGV75H60T3G Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAPTGV75H60T3G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli

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APTGV75H60T3G Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo IGBTNPT, Trench Field Stop
ConfigurazioneFull Bridge Inverter
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)100A
Potenza - Max250W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.9V @ 15V, 75A
Corrente - Taglio collettore (Max)250µA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce4.62nF @ 25V
InputStandard
Termistore NTCYes
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaSP3
Pacchetto dispositivo fornitoreSP3

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Produttore

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Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

93A

Potenza - Max

294W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 100A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1.4mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

4.2nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

ECO-PAC2

Pacchetto dispositivo fornitore

ECO-PAC2

APTGF90H60T3G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Configurazione

Full Bridge Inverter

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

120A

Potenza - Max

416W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 100A

Corrente - Taglio collettore (Max)

250µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

4.4nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP3

Pacchetto dispositivo fornitore

SP3

APT35GP120J

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 7®

Tipo IGBT

PT

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

64A

Potenza - Max

284W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 35A

Corrente - Taglio collettore (Max)

250µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

3.24nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

ISOTOP

Pacchetto dispositivo fornitore

ISOTOP®

APTGT20TL601G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Three Level Inverter

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

32A

Potenza - Max

62W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 20A

Corrente - Taglio collettore (Max)

250µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

1.1pF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP1

Pacchetto dispositivo fornitore

SP1

BSM400GA120DN2HOSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

Single Switch

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

550A

Potenza - Max

2700W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 400A

Corrente - Taglio collettore (Max)

8mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

26nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

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Module

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