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APTGT75SK120T1G

APTGT75SK120T1G

Solo per riferimento

Numero parte APTGT75SK120T1G
PNEDA Part # APTGT75SK120T1G
Descrizione IGBT 1200V 110A 357W SP1
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.254
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 27 - mag 2 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

APTGT75SK120T1G Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAPTGT75SK120T1G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli
Datasheet
APTGT75SK120T1G, APTGT75SK120T1G Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 278,64 KB)
PDFAPTGT75SK120T1G Datasheet Copertura
APTGT75SK120T1G Datasheet Pagina 2 APTGT75SK120T1G Datasheet Pagina 3 APTGT75SK120T1G Datasheet Pagina 4 APTGT75SK120T1G Datasheet Pagina 5

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APTGT75SK120T1G Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo IGBTTrench Field Stop
ConfigurazioneSingle
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)110A
Potenza - Max357W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 75A
Corrente - Taglio collettore (Max)250µA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce5.34nF @ 25V
InputStandard
Termistore NTCYes
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaSP1
Pacchetto dispositivo fornitoreSP1

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Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Configurazione

Three Phase Inverter with Brake

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

52A

Potenza - Max

225W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 35A

Corrente - Taglio collettore (Max)

400µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

2nF @ 25V

Input

Three Phase Bridge Rectifier

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

E2

Pacchetto dispositivo fornitore

E2

APTGLQ40HR120CT3G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

75A

Potenza - Max

250W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 40A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

2.3nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

SP3

Pacchetto dispositivo fornitore

SP3

FD650R17IE4BOSA2

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

PrimePack™2

Tipo IGBT

-

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1700V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

930A

Potenza - Max

4150W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 650A

Corrente - Taglio collettore (Max)

5mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

54nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

IRG7U50HF12A

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100A

Potenza - Max

310W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 50A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

6nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

POWIR® 34 Module

Pacchetto dispositivo fornitore

POWIR® 34

FPF2C8P2NL07A

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

Field Stop

Configurazione

Three Phase

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30A

Potenza - Max

135W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 30A

Corrente - Taglio collettore (Max)

250µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

-

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

F2

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