APTGT75DA120T1G
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| Numero parte | APTGT75DA120T1G |
| PNEDA Part # | APTGT75DA120T1G |
| Descrizione | IGBT 1200V 110A 357W SP1 |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.286 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 21 - apr 26 (Scegli Spedizione rapida) |
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APTGT75DA120T1G Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | APTGT75DA120T1G |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Moduli |
| Datasheet |
APTGT75DA120T1G, APTGT75DA120T1G Datasheet
(Totale pagine: 5, Dimensioni: 277,68 KB)
  
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APTGT75DA120T1G Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | Trench Field Stop |
| Configurazione | Single |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 1200V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 110A |
| Potenza - Max | 357W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 75A |
| Corrente - Taglio collettore (Max) | 250µA |
| Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 5.34nF @ 25V |
| Input | Standard |
| Termistore NTC | Yes |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / Custodia | SP1 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SP1 |
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