APTGT50DDA120T3G
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Numero parte | APTGT50DDA120T3G | ||||||||||||||||||
PNEDA Part # | APTGT50DDA120T3G | ||||||||||||||||||
Descrizione | POWER MOD IGBT TRENCH BOOST SP3 | ||||||||||||||||||
Produttore | Microsemi | ||||||||||||||||||
Prezzo unitario |
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Disponibile | 1.696 | ||||||||||||||||||
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
Consegna stimata | dic 1 - dic 6 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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APTGT50DDA120T3G Risorse
Brand | Microsemi |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | APTGT50DDA120T3G |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Moduli |
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APTGT50DDA120T3G Specifiche
Produttore | Microsemi Corporation |
Serie | - |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configurazione | Dual Boost Chopper |
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 1200V |
Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 75A |
Potenza - Max | 270W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 50A |
Corrente - Taglio collettore (Max) | 250µA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 3.6nF @ 25V |
Input | Standard |
Termistore NTC | Yes |
Temperatura di esercizio | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / Custodia | SP3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SP3 |
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