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APTGLQ200H65G

APTGLQ200H65G

Solo per riferimento

Numero parte APTGLQ200H65G
PNEDA Part # APTGLQ200H65G
Descrizione POWER MODULE - IGBT
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.340
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 19 - apr 24 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

APTGLQ200H65G Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAPTGLQ200H65G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli

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APTGLQ200H65G Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo IGBTTrench Field Stop
ConfigurazioneFull Bridge
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)650V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)270A
Potenza - Max680W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.3V @ 15V, 200A
Corrente - Taglio collettore (Max)75µA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce12.2nF @ 25V
InputStandard
Termistore NTCNo
Temperatura di esercizio-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaModule
Pacchetto dispositivo fornitoreSP6

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1700V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1200A

Potenza - Max

3150W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 600A

Corrente - Taglio collettore (Max)

3mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

54nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

FZ1600R17HP4B2BOSA2

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

*

Tipo IGBT

-

Configurazione

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Potenza - Max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

-

Input

-

Termistore NTC

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

DDB6U134N16RRBOSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

70A

Potenza - Max

500W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.75V @ 15V, 70A

Corrente - Taglio collettore (Max)

500µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

5.1nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

APT75GP120JDQ3

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 7®

Tipo IGBT

PT

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

128A

Potenza - Max

543W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 75A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1.25mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

7.04nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

ISOTOP

Pacchetto dispositivo fornitore

ISOTOP®

FF200R12KE3B2HOSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

295A

Potenza - Max

1050W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 200A

Corrente - Taglio collettore (Max)

5mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

14nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C

Tipo di montaggio

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