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APTGFQ25H120T2G

APTGFQ25H120T2G

Solo per riferimento

Numero parte APTGFQ25H120T2G
PNEDA Part # APTGFQ25H120T2G
Descrizione IGBT 1200V 40A 227W MODULE
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.104
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 9 - apr 14 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

APTGFQ25H120T2G Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAPTGFQ25H120T2G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli
Datasheet
APTGFQ25H120T2G, APTGFQ25H120T2G Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 549,46 KB)
PDFAPTGFQ25H120T2G Datasheet Copertura
APTGFQ25H120T2G Datasheet Pagina 2 APTGFQ25H120T2G Datasheet Pagina 3 APTGFQ25H120T2G Datasheet Pagina 4 APTGFQ25H120T2G Datasheet Pagina 5 APTGFQ25H120T2G Datasheet Pagina 6

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APTGFQ25H120T2G Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo IGBTNPT and Fieldstop
ConfigurazioneFull Bridge
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)40A
Potenza - Max227W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 25A
Corrente - Taglio collettore (Max)250µA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce2.02nF @ 25V
InputStandard
Termistore NTCYes
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaSP2
Pacchetto dispositivo fornitoreSP2

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Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Configurazione

Full Bridge Inverter

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

110A

Potenza - Max

416W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 90A

Corrente - Taglio collettore (Max)

250µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

4.3nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP4

Pacchetto dispositivo fornitore

SP4

IRG5K200HF12B

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

400A

Potenza - Max

1250W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 200A

Corrente - Taglio collettore (Max)

2mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

26nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

POWIR® 62 Module

Pacchetto dispositivo fornitore

POWIR® 62

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

400A

Potenza - Max

940W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 300A

Corrente - Taglio collettore (Max)

500µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

18.5nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

D-3 Module

Pacchetto dispositivo fornitore

D3

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Produttore

Powerex Inc.

Serie

IGBTMOD™

Tipo IGBT

-

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1700V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

200A

Potenza - Max

1980W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 200A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

49.4nF @ 10V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

IRG5K50HF12A

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100A

Potenza - Max

390W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 50A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

6.2nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

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