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APTGF90DH60T3G

APTGF90DH60T3G

Solo per riferimento

Numero parte APTGF90DH60T3G
PNEDA Part # APTGF90DH60T3G
Descrizione IGBT NPT BRIDGE 600V 110A SP3
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.770
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 2 - apr 7 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

APTGF90DH60T3G Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAPTGF90DH60T3G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli
Datasheet
APTGF90DH60T3G, APTGF90DH60T3G Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 502,4 KB)
PDFAPTGF90DH60T3G Datasheet Copertura
APTGF90DH60T3G Datasheet Pagina 2 APTGF90DH60T3G Datasheet Pagina 3 APTGF90DH60T3G Datasheet Pagina 4 APTGF90DH60T3G Datasheet Pagina 5 APTGF90DH60T3G Datasheet Pagina 6

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APTGF90DH60T3G Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo IGBTNPT
ConfigurazioneAsymmetrical Bridge
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)110A
Potenza - Max416W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 100A
Corrente - Taglio collettore (Max)250µA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce4.3nF @ 25V
InputStandard
Termistore NTCYes
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaSP3
Pacchetto dispositivo fornitoreSP3

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

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Tipo IGBT

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Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

205A

Potenza - Max

835W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 100A

Corrente - Taglio collettore (Max)

5mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

6.5nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

APTGF75DA60D1G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100A

Potenza - Max

355W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 75A

Corrente - Taglio collettore (Max)

500µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

3.3nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

D1

Pacchetto dispositivo fornitore

D1

IRDM983-025MBTR

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

*

Tipo IGBT

-

Configurazione

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Potenza - Max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

-

Input

-

Termistore NTC

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

APTGF90SK60D1G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

130A

Potenza - Max

445W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 100A

Corrente - Taglio collettore (Max)

500µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

4.3nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

D1

Pacchetto dispositivo fornitore

D1

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Produttore

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Serie

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Tipo IGBT

PT

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

900V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

64A

Potenza - Max

284W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 40A

Corrente - Taglio collettore (Max)

350µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

3.3nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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