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APTGF660U60D4G

APTGF660U60D4G

Solo per riferimento

Numero parte APTGF660U60D4G
PNEDA Part # APTGF660U60D4G
Descrizione IGBT 600V 860A 2800W D4
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.038
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 9 - apr 14 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

APTGF660U60D4G Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAPTGF660U60D4G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli
Datasheet
APTGF660U60D4G, APTGF660U60D4G Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 605,81 KB)
PDFAPTGF660U60D4G Datasheet Copertura
APTGF660U60D4G Datasheet Pagina 2 APTGF660U60D4G Datasheet Pagina 3 APTGF660U60D4G Datasheet Pagina 4 APTGF660U60D4G Datasheet Pagina 5 APTGF660U60D4G Datasheet Pagina 6

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APTGF660U60D4G Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo IGBTNPT
ConfigurazioneSingle
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)860A
Potenza - Max2800W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.45V @ 15V, 800A
Corrente - Taglio collettore (Max)500µA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce36nF @ 25V
InputStandard
Termistore NTCNo
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaD4
Pacchetto dispositivo fornitoreD4

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Tipo IGBT

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Configurazione

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Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1400V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

300A

Potenza - Max

2100W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4.2V @ 15V, 300A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

60nF @ 10V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

HIGFED1BOSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Potenza - Max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

-

Input

-

Termistore NTC

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

FF300R17ME4B11BOSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

2 Independent

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1700V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

375A

Potenza - Max

1800W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 300A

Corrente - Taglio collettore (Max)

3mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

24.5nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

MG1275W-XN2MM

Littelfuse

Produttore

Littelfuse Inc.

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Three Phase Inverter

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

105A

Potenza - Max

368W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 75A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

5.3nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

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Powerex Inc.

Produttore

Powerex Inc.

Serie

IGBTMOD™

Tipo IGBT

-

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100A

Potenza - Max

400W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 100A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

8.8nF @ 10V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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