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APTGF50A120T1G

APTGF50A120T1G

Solo per riferimento

Numero parte APTGF50A120T1G
PNEDA Part # APTGF50A120T1G
Descrizione IGBT MODULE NPT PHASE LEG SP1
Produttore Microsemi
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Disponibile 3.510
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 27 - mag 2 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

APTGF50A120T1G Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAPTGF50A120T1G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli
Datasheet
APTGF50A120T1G, APTGF50A120T1G Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 485,47 KB)
PDFAPTGF50A120T1G Datasheet Copertura
APTGF50A120T1G Datasheet Pagina 2 APTGF50A120T1G Datasheet Pagina 3 APTGF50A120T1G Datasheet Pagina 4 APTGF50A120T1G Datasheet Pagina 5 APTGF50A120T1G Datasheet Pagina 6 APTGF50A120T1G Datasheet Pagina 7

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APTGF50A120T1G Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo IGBTNPT
ConfigurazioneHalf Bridge
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)75A
Potenza - Max312W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.7V @ 15V, 50A
Corrente - Taglio collettore (Max)250µA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce3.45nF @ 25V
InputStandard
Termistore NTCYes
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaSP1
Pacchetto dispositivo fornitoreSP1

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Produttore

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Serie

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Tipo IGBT

PT

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

300V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

400A

Potenza - Max

735W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.15V @ 15V, 100A

Corrente - Taglio collettore (Max)

50µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

19nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-227-4, miniBLOC

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-227B

IRG5K75HH06E

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

Full Bridge Inverter

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

140A

Potenza - Max

330W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 75A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

3.6nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

POWIR ECO 2™ Module

Pacchetto dispositivo fornitore

POWIR ECO 2™

APTGT100DA170D1G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1700V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

200A

Potenza - Max

695W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 100A

Corrente - Taglio collettore (Max)

3mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

8.5nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

D1

Pacchetto dispositivo fornitore

D1

IRG5U150HF06A

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

200A

Potenza - Max

660W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 150A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

8.5nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

POWIR® 34 Module

Pacchetto dispositivo fornitore

POWIR® 34

APTGT100DA60T1G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

150A

Potenza - Max

340W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 100A

Corrente - Taglio collettore (Max)

250µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

6.1nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

SP1

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