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APTDF430U100G

APTDF430U100G

Solo per riferimento

Numero parte APTDF430U100G
PNEDA Part # APTDF430U100G
Descrizione DIODE GEN PURP 1KV 500A LP4
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.466
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata dic 2 - dic 7 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

APTDF430U100G Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAPTDF430U100G
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli

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APTDF430U100G Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)1000V
Corrente - Media Rettificata (Io)500A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If2.3V @ 500A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)120ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr2.5mA @ 1000V
Capacità @ Vr, F-
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaLP4
Pacchetto dispositivo fornitoreLP4
Temperatura di esercizio - Giunzione-

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1.5A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.05V @ 1.5A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

900ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 200V

Capacità @ Vr, F

10.5pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-219AB

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-219AB (SMF)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

RSFML R3G

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1000V

Corrente - Media Rettificata (Io)

500mA

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 500mA

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

500ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 1000V

Capacità @ Vr, F

4pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-219AB

Pacchetto dispositivo fornitore

Sub SMA

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

PMEG2010EAZ

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

20V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

550mV @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

50µA @ 15V

Capacità @ Vr, F

19pF @ 5V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-76, SOD-323

Pacchetto dispositivo fornitore

SOD-323

Temperatura di esercizio - Giunzione

125°C (Max)

DB2G42600L1

Panasonic Electronic Components

Produttore

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

40V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

600mV @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

8.7ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

30µA @ 40V

Capacità @ Vr, F

28pF @ 10V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

0402 (1006 Metric)

Pacchetto dispositivo fornitore

0402 (1005 Metric)

Temperatura di esercizio - Giunzione

150°C (Max)

SIDC02D60F6X1SA1

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.6V @ 3A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

27µA @ 600V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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