APTC60SKM35T1G
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| Numero parte | APTC60SKM35T1G |
| PNEDA Part # | APTC60SKM35T1G |
| Descrizione | MOSFET N-CH 600V 72A SP1 |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.924 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | feb 19 - feb 24 (Scegli Spedizione rapida) |
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APTC60SKM35T1G Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | APTC60SKM35T1G |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
APTC60SKM35T1G, APTC60SKM35T1G Datasheet
(Totale pagine: 6, Dimensioni: 313,41 KB)
  
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APTC60SKM35T1G Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 600V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 72A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 72A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 5.4mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 518nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 14000pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 416W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SP1 |
| Pacchetto / Custodia | SP1 |
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