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APTC60DSKM70T1G

APTC60DSKM70T1G

Solo per riferimento

Numero parte APTC60DSKM70T1G
PNEDA Part # APTC60DSKM70T1G
Descrizione MOSFET 2N-CH 600V 39A SP1
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.100
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 30 - dic 5 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

APTC60DSKM70T1G Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAPTC60DSKM70T1G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array

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APTC60DSKM70T1G Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
SerieCoolMOS™
Tipo FET2 N Channel (Dual Buck Chopper)
Funzione FETSuper Junction
Tensione Drain to Source (Vdss)600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C39A
Rds On (Max) @ Id, Vgs70mOhm @ 39A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.9V @ 2.7mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs259nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds700pF @ 25V
Potenza - Max250W
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaSP1
Pacchetto dispositivo fornitoreSP1

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

17A, 25A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1715pF @ 15V

Potenza - Max

1W, 1.1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerWDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

17.6A (Ta), 70A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.4mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1020pF @ 25V

Potenza - Max

3.2W (Ta), 50W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V, 20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.4A, 1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

240mOhm @ 1.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

70pF @ 10V

Potenza - Max

1W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-SMD, Flat Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

TUMT6

DMC21D1UDA-7B

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

455mA (Ta), 328mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

990mOhm @ 100mA, 4.5V, 1.9Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.41nC @ 4.5V, 0.4nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

31pF @ 15V, 28.5pF @ 15V

Potenza - Max

300mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Tensione Drain to Source (Vdss)

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

110A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.9mOhm @ 60A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

115nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

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