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APT85GR120JD60

APT85GR120JD60

Solo per riferimento

Numero parte APT85GR120JD60
PNEDA Part # APT85GR120JD60
Descrizione IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.750
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 24 - nov 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

APT85GR120JD60 Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAPT85GR120JD60
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli

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APT85GR120JD60 Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo IGBTNPT
ConfigurazioneSingle
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)116A
Potenza - Max543W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.2V @ 15V, 85A
Corrente - Taglio collettore (Max)1.1mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce8.4nF @ 25V
InputStandard
Termistore NTCNo
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-227-4, miniBLOC
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-227

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

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Configurazione

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Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

105A

Potenza - Max

355W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 75A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

5.3nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

*

Tipo IGBT

-

Configurazione

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Potenza - Max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

-

Input

-

Termistore NTC

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

IRG5K35HF12A

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

70A

Potenza - Max

280W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 35A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

3.4nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

POWIR® 34 Module

Pacchetto dispositivo fornitore

POWIR® 34

APTGT50A120T1G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

75A

Potenza - Max

277W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A

Corrente - Taglio collettore (Max)

250µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

3.6nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP1

Pacchetto dispositivo fornitore

SP1

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Dual, Common Source

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

220A

Potenza - Max

690W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 150A

Corrente - Taglio collettore (Max)

350µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

10.7nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

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