APT8020B2LLG
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| Numero parte | APT8020B2LLG |
| PNEDA Part # | APT8020B2LLG |
| Descrizione | MOSFET N-CH 800V 38A T-MAX |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.948 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 13 - apr 18 (Scegli Spedizione rapida) |
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APT8020B2LLG Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | APT8020B2LLG |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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APT8020B2LLG Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | POWER MOS 7® |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 800V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 38A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 19A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 195nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5200pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 694W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | T-MAX™ [B2] |
| Pacchetto / Custodia | TO-247-3 Variant |
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Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 15A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.7mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 55nC @ 4.5V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 1.9W (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore PowerPAK® SO-8 Pacchetto / Custodia PowerPAK® SO-8 |
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