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APT50GP60JDQ2

APT50GP60JDQ2

Solo per riferimento

Numero parte APT50GP60JDQ2
PNEDA Part # APT50GP60JDQ2
Descrizione IGBT 600V 100A 329W SOT227
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.670
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 24 - apr 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

APT50GP60JDQ2 Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAPT50GP60JDQ2
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli

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APT50GP60JDQ2 Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
SeriePOWER MOS 7®
Tipo IGBTPT
ConfigurazioneSingle
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)100A
Potenza - Max329W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 50A
Corrente - Taglio collettore (Max)525µA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce5.7nF @ 25V
InputStandard
Termistore NTCNo
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-227-4, miniBLOC
Pacchetto dispositivo fornitoreISOTOP®

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Produttore

Microsemi Corporation

Serie

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Tipo IGBT

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Configurazione

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Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1700V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

75A

Potenza - Max

312W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 50A

Corrente - Taglio collettore (Max)

250µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

4.4nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP4

Pacchetto dispositivo fornitore

SP4

FT150R12KE3B5BOSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Potenza - Max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

-

Input

-

Termistore NTC

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

MG1250W-XBN2MM

Littelfuse

Produttore

Littelfuse Inc.

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

Three Phase Inverter with Brake

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

75A

Potenza - Max

260W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 50A (Typ)

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

3.6nF @ 25V

Input

Three Phase Bridge Rectifier

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

APTGT50H60T1G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Full Bridge Inverter

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80A

Potenza - Max

176W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 50A

Corrente - Taglio collettore (Max)

250µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

3.15nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP1

Pacchetto dispositivo fornitore

SP1

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo IGBT

PT

Configurazione

Three Phase Inverter

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

220A

Potenza - Max

695W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 150A

Corrente - Taglio collettore (Max)

500µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

-

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

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